参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPP080N03L G
说明	功率MOSFET   PG-TO220-3 10mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	500
最小包	500
现货	1288 [库存更新时间：2025-04-11]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1900pF @ 15V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO220-3
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	50A
Rds On(Max)@Id,Vgs	8mΩ
栅极电压Vgs	20V
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	47W
高度	15.65mm
长度	10mm
FET类型	N-Channel
宽度	4.4mm
下降时间	2.8ns
上升时间	3.6ns
典型关闭延迟时间	18ns
典型接通延迟时间	4.6ns